ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 65MHz 表面贴装型 DPAK
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TRANS NPN 25V 5A DPAK
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MJD200T4G
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# ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE
Win Source:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK
频率 65 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
额定功率 1.4 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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