MJD200T4G

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MJD200T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 65MHz 表面贴装型 DPAK


得捷:
TRANS NPN 25V 5A DPAK


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MJD200T4G


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Trans GP BJT NPN 25V 10A 1400mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MJD 系列 25 V 5 A TAB安装 NPN 互补 塑料 功率晶体管 TO-252


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# ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE


Win Source:
TRANS NPN 25V 5A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK


MJD200T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 65 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 5.00 A

额定功率 1.4 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD200T4G引脚图与封装图
MJD200T4G引脚图
MJD200T4G封装焊盘图
在线购买MJD200T4G
型号: MJD200T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE
替代型号MJD200T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD200T4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD200RLG

安森美

完全替代

MJD200T4G和MJD200RLG的区别

MJD200

安森美

完全替代

MJD200T4G和MJD200的区别

MJD200T5G

安森美

完全替代

MJD200T4G和MJD200T5G的区别

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