MJD3055G

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MJD3055G概述

NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 60V 10A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD3055G , NPN 双极晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 500 kHz, 3引脚 DPAK封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 10A 60V 20W NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
TRANS NPN 60V 10A DPAK


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


DeviceMart:
TRANS POWER NPN 10A 60V DPAK


MJD3055G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 6.25℃/W RθJC

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD3055G
型号: MJD3055G
描述:NPN 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号MJD3055G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD3055G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

KSH3055TF

安森美

完全替代

MJD3055G和KSH3055TF的区别

MJD3055T4

安森美

类似代替

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