STMICROELECTRONICS MJD44H11T4 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
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**NPN TRANSISTOR 80V 8A 20W DPAK **
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TRANS NPN 80V 8A DPAK
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 20 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD44H11T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD44H11T4-A 意法半导体 | 完全替代 | MJD44H11T4和MJD44H11T4-A的区别 |
MJD44H11 意法半导体 | 类似代替 | MJD44H11T4和MJD44H11的区别 |
MJD44H11G 安森美 | 功能相似 | MJD44H11T4和MJD44H11G的区别 |