MJD44H11T4

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MJD44H11T4概述

STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE

NPN 功率,STMicroelectronics


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TRANS NPN 80V 8A DPAK


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MJD44H11T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD44H11T4引脚图与封装图
MJD44H11T4引脚图
MJD44H11T4封装图
MJD44H11T4封装焊盘图
在线购买MJD44H11T4
型号: MJD44H11T4
描述:STMICROELECTRONICS  MJD44H11T4  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 20 W, 8 A, 60 hFE
替代型号MJD44H11T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD44H11T4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

MJD44H11T4-A

意法半导体

完全替代

MJD44H11T4和MJD44H11T4-A的区别

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意法半导体

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