ON SEMICONDUCTOR MJD3055T4G 双极性晶体管
NPN 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJD3055T4G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 500 kHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
MJD3055T4G
得捷:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 10 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD3055T4G NPN Bipolar Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin DPAK
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD3055T4G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 10A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK
频率 2 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 10.0 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 5
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD3055T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NJVMJD3055T4G 安森美 | 完全替代 | MJD3055T4G和NJVMJD3055T4G的区别 |
KSH3055TM 安森美 | 完全替代 | MJD3055T4G和KSH3055TM的区别 |
MJD3055G 安森美 | 类似代替 | MJD3055T4G和MJD3055G的区别 |