MJD3055T4G

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MJD3055T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  双极性晶体管

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJD3055T4G , NPN 晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 500 kHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
MJD3055T4G


得捷:
TRANS NPN 60V 10A DPAK


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJD3055T4G NPN Bipolar Transistor, 10 A, 60 V, 3-Pin DPAK


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE


Win Source:
TRANS NPN 60V 10A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 10A 60V DPAK


MJD3055T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 5

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD3055T4G引脚图与封装图
MJD3055T4G引脚图
MJD3055T4G封装焊盘图
在线购买MJD3055T4G
型号: MJD3055T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD3055T4G  双极性晶体管
替代型号MJD3055T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD3055T4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NJVMJD3055T4G

安森美

完全替代

MJD3055T4G和NJVMJD3055T4G的区别

KSH3055TM

安森美

完全替代

MJD3055T4G和KSH3055TM的区别

MJD3055G

安森美

类似代替

MJD3055T4G和MJD3055G的区别

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