MJD3055TF

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MJD3055TF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE

功率 NPN , Semiconductor

### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor

双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


欧时:
### 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
MJD3055 系列 60 V 10 A 表面贴装 NPN 外延硅晶体管 - DPAK-3


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 60V 10A DPAK


Win Source:
TRANS NPN 60V 10A DPAK


MJD3055TF中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

集电极击穿电压 70.0 V

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 5

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD3055TF
型号: MJD3055TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE
替代型号MJD3055TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD3055TF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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