MJD31CT4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD31CT4G概述

ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

NPN 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD31CT4G中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 3.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, Automotive, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD31CT4G引脚图与封装图

在线购买MJD31CT4G

型号： MJD31CT4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE

立即咨询

替代型号MJD31CT4G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD31CT4G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MJD31CRLG 安森美	完全替代	MJD31CT4G和MJD31CRLG的区别
MJD31CT4 安森美	完全替代	MJD31CT4G和MJD31CT4的区别
MJD31CG 安森美	类似代替	MJD31CT4G和MJD31CG的区别