NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching, such as output or driver stages in applications.
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- General purpose amplifier
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- Low-speed switching applications
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- Lead formed for surface-mount applications
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- Electrically similar to popular TIP31 and TIP31C
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.56 W
增益频宽积 3 MHz
集电极击穿电压 100 V
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 15 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD31CTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD31CTF_NBDD001 飞兆/仙童 | 完全替代 | MJD31CTF和MJD31CTF_NBDD001的区别 |
KSH31CTF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD31CTF和KSH31CTF的区别 |
KSH31CTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD31CTF和KSH31CTM的区别 |