MJD45H11TF

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MJD45H11TF概述

Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 8A 40MHz 1.75W Surface Mount TO-252-3


得捷:
TRANS PNP 80V 8A TO252-3


欧时:
### Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD45H11TF  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
PNP 1.75 W 80 V 8 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD45H11TF  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 40 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK


Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK


MJD45H11TF中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD45H11TF
型号: MJD45H11TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号MJD45H11TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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