Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 8A 40MHz 1.75W Surface Mount TO-252-3
得捷:
TRANS PNP 80V 8A TO252-3
欧时:
### Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TF 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
PNP 1.75 W 80 V 8 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TF Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 40 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK
Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD45H11TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSH45H11TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD45H11TF和KSH45H11TF的区别 |
MJD45H11RL 安森美 | 类似代替 | MJD45H11TF和MJD45H11RL的区别 |