FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE
The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching such as output or driver stages applications.
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- Lead formed for surface-mount application
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- Low collector emitter saturation voltage
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- Fast switching speeds
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
增益频宽积 40 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD45H11TM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD45H11TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD45H11TM和MJD45H11TF的区别 |
KSH45H11TF 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD45H11TM和KSH45H11TF的区别 |
KSH45H11TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJD45H11TM和KSH45H11TM的区别 |