ON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管
Bipolar BJT Transistor PNP 300V 500mA 1.56W Surface Mount DPAK
得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
e络盟:
# ON SEMICONDUCTOR MJD350G 双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
TRANSISTOR, BIP, PNP, 0.5A, 300V
安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Win Source:
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
额定电压DC -300 V
额定电流 -500 mA
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.56 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
热阻 8.33℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 240
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD350G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD350TF 安森美 | 完全替代 | MJD350G和MJD350TF的区别 |
NJVMJD350T4G 安森美 | 类似代替 | MJD350G和NJVMJD350T4G的区别 |