MJD350T4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD350T4G概述

ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE

高电压，

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD350T4G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

针脚数 4

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用工业, 车用, Audio, Industrial, 电源管理, Power Management, Automotive, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD350T4G引脚图与封装图

在线购买MJD350T4G

型号： MJD350T4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD350T4G 单晶体管双极, AEC-Q101, PNP, -300 V, 10 MHz, 15 W, -500 mA, 30 hFE

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替代型号MJD350T4G

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