MJD47T4G

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MJD47T4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE

高电压,

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 250V 1A DPAK


立创商城:
MJD47T4G


欧时:
ON Semiconductor MJD47T4G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=250 V, HFE:10, 2 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJD47T4G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 1 A, 250 V, 3-Pin DPAK


安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 10 hFE


Win Source:
TRANS NPN 250V 1A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK


MJD47T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 1.00 A

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.56 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJD47T4G引脚图与封装图
MJD47T4G引脚图
MJD47T4G封装焊盘图
在线购买MJD47T4G
型号: MJD47T4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJD47T4G  单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
替代型号MJD47T4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD47T4G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NJVMJD47T4G

安森美

完全替代

MJD47T4G和NJVMJD47T4G的区别

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