ON SEMICONDUCTOR MJD47T4G 单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
高电压,
### 标准
带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 250V 1A DPAK
立创商城:
MJD47T4G
欧时:
ON Semiconductor MJD47T4G , NPN 晶体管, 1 A, Vce=250 V, HFE:10, 2 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD47T4G NPN High Voltage Bipolar Transistor, 1 A, 250 V, 3-Pin DPAK
安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD47T4G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 250 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 10 hFE
Win Source:
TRANS NPN 250V 1A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR NPN 1A 250V DPAK
频率 10 MHz
额定电压DC 250 V
额定电流 1.00 A
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 1.56 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD47T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NJVMJD47T4G 安森美 | 完全替代 | MJD47T4G和NJVMJD47T4G的区别 |
MJD340T4G 安森美 | 类似代替 | MJD47T4G和MJD340T4G的区别 |
MJD47G 安森美 | 类似代替 | MJD47T4G和MJD47G的区别 |