ON SEMICONDUCTOR MMUN2232LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
双电阻器数字 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
立创商城:
NPN 双极数字晶体管 BRT
欧时:
### 双电阻器数字 NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。![http://china.rs-online.com/largeimages/L246179-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L246179-01.gif ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:4.7kΩ
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMUN2232LT1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 Ratio, SOT-23
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 400 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 15 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMUN2232LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2232LT1 安森美 | 完全替代 | MMUN2232LT1G和MMUN2232LT1的区别 |
PDTC143ZT@215 恩智浦 | 类似代替 | MMUN2232LT1G和PDTC143ZT@215的区别 |
DTC143ZKAT146 罗姆半导体 | 功能相似 | MMUN2232LT1G和DTC143ZKAT146的区别 |