ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
N 通道功率 MOSFET,20V,
### MOSFET ,ON Semiconductor
立创商城:
MGSF1N02LT1G
得捷:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF1N02LT1G, 750 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MGSF1N02LT1G N-channel MOSFET Transistor; 0.75 A; 20 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G MOSFET Transistor, N Channel, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
力源芯城:
0.75A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
额定电压DC 20.0 V
额定电流 750 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400 mW
阈值电压 1.7 V
输入电容 125 pF
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 750 mA
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 125pF @5VVds
额定功率Max 400 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MGSF1N02LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MGSF1N02LT1 安森美 | 类似代替 | MGSF1N02LT1G和MGSF1N02LT1的区别 |
SI2306BDS-T1-E3 威世 | 功能相似 | MGSF1N02LT1G和SI2306BDS-T1-E3的区别 |
PMV56XN,215 恩智浦 | 功能相似 | MGSF1N02LT1G和PMV56XN,215的区别 |