MGSF1N02LT1G

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MGSF1N02LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V

N 通道功率 MOSFET,20V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


立创商城:
MGSF1N02LT1G


得捷:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MGSF1N02LT1G, 750 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
MGSF1N02LT1G N-channel MOSFET Transistor; 0.75 A; 20 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V


力源芯城:
0.75A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23


MGSF1N02LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 750 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 mW

阈值电压 1.7 V

输入电容 125 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 750 mA

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 125pF @5VVds

额定功率Max 400 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MGSF1N02LT1G引脚图与封装图
MGSF1N02LT1G引脚图
MGSF1N02LT1G封装图
MGSF1N02LT1G封装焊盘图
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型号: MGSF1N02LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
替代型号MGSF1N02LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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