MMUN2137LT1G

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MMUN2137LT1G概述

双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 TO-236AB


立创商城:
MMUN2137LT1G


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:47kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3


MMUN2137LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMUN2137LT1G
型号: MMUN2137LT1G
描述:双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR

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