数字晶体管( BRT ) R1 = 2.2千欧, R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:2.2kΩ
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 246 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 8
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMUN2131LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2132LT1G 安森美 | 类似代替 | MMUN2131LT1G和MMUN2132LT1G的区别 |
MMUN2131LT1 安森美 | 类似代替 | MMUN2131LT1G和MMUN2131LT1的区别 |
MMUN2131LT3 安森美 | 功能相似 | MMUN2131LT1G和MMUN2131LT3的区别 |