MUN2133T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN2133T1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

Win Source:
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

MUN2133T1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 230 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： MUN2133T1

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

替代型号MUN2133T1

型号/品牌

代替类型

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