MUN2137T1概述
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
MUN2137T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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