MMBT2222LT3G

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MMBT2222LT3G概述

通用晶体管 General Purpose Transistors

Bipolar BJT Transistor NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


MMBT2222LT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMBT2222LT3G
型号: MMBT2222LT3G
描述:通用晶体管 General Purpose Transistors
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