通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount Moisture Sensitivity Level: 1 • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 放大器 NPN表面贴装 湿气敏感性等级：1 •无铅包可用
频率 50 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MSC2712GT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5210 安森美 | 类似代替 | MSC2712GT1G和MMBT5210的区别 |
MSC2712GT1 安森美 | 功能相似 | MSC2712GT1G和MSC2712GT1的区别 |