MUN5111T1G

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MUN5111T1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

双电阻器数字 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3


欧时:
SS SC70 BR XSTR NPN 50V


立创商城:
PNP 双极数字晶体管 BRT


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 Ratio, SOT-323


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


DeviceMart:
TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323


MUN5111T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 297 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MUN5111T1G引脚图与封装图
MUN5111T1G引脚图
MUN5111T1G封装焊盘图
在线购买MUN5111T1G
型号: MUN5111T1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
替代型号MUN5111T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN5111T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MUN5132T1

安森美

完全替代

MUN5111T1G和MUN5132T1的区别

MUN5112T1

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完全替代

MUN5111T1G和MUN5112T1的区别

MUN5133T1

安森美

完全替代

MUN5111T1G和MUN5133T1的区别

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