MUN5113T3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5113T3G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

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MUN5113T3G

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TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R

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TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

MUN5113T3G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MUN5113T3G

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

替代型号MUN5113T3G