ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
小信号 NPN ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
额定功率 0.225 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 车用, ??, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT5551LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SMMBT5551LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT5551LT1G和SMMBT5551LT1G的区别 |
MMBT5551LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBT5551LT1G和MMBT5551LT3G的区别 |
MMBT5551 安森美 | 类似代替 | MMBT5551LT1G和MMBT5551的区别 |