数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
Digital Transistors BRT R1 = 22 k, R2 = 47 k
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.338 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 338 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN2234T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2234T1 安森美 | 完全替代 | MUN2234T1G和MUN2234T1的区别 |
SMMUN2233LT1 安森美 | 类似代替 | MUN2234T1G和SMMUN2233LT1的区别 |
PDTC124ET@215 恩智浦 | 类似代替 | MUN2234T1G和PDTC124ET@215的区别 |