MMBD7000LT1

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MMBD7000LT1概述

双开关二极管 Dual Switching Diode

反向电压VrReverse Voltage| 100V

\---|---

平均整流电流IoAverage Rectified Current| 200mA/0.2A

最大正向压降VFForward VoltageVf | 1.1V

反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4.0ns

最大耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W

Description & Applications| FeAtures • DuAl Switching Diode

描述与应用| 特点 •双开关


得捷:
DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23


贸泽:
二极管 - 通用,功率,开关 100V 200mA


艾睿:
Diode Switching 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


MMBD7000LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 200 mA

电容 1.50 pF

正向电压 1.1V @100mA

耗散功率 225 mW

反向恢复时间 4 ns

正向电压Max 1.25V @150mA

正向电流Max 0.2 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBD7000LT1
型号: MMBD7000LT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:双开关二极管 Dual Switching Diode
替代型号MMBD7000LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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