MGB15N40CLT4

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MGB15N40CLT4概述

点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

N−Channel TO−220 and D2PAK

This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and Over−Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.

Features

• Ideal for Coil−On−Plug, IGBT−On−Coil, or Distributorless Ignition System Applications

• High Pulsed Current Capability up to 50 A

• Gate−Emitter ESD Protection

• Temperature Compensated Gate−Collector Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load

• Integrated ESD Diode Protection

• Low Threshold Voltage to Interface Power Loads to Logic or Microprocessor Devices

• Low Saturation Voltage

• Optional Gate Resistor RG

• Pb−Free Package is Available

MGB15N40CLT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 410 V

额定电流 15.0 A

耗散功率 150 W

输入电容 1.00 nF

击穿电压集电极-发射极 440 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MGB15N40CLT4
型号: MGB15N40CLT4
描述:点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

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