MMBT6428

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MMBT6428概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.

.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

得捷:
TRANS NPN 50V 0.5A SOT23-3


欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT6428系列 50 V CE击穿 0.5 A NPN 通用 放大器 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23


MMBT6428中文资料参数规格
技术参数

频率 700 MHz

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 650

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT6428
型号: MMBT6428
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT6428  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 700 MHz, 350 mW, 500 mA, 250 hFE
替代型号MMBT6428
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT6428

Fairchild 飞兆/仙童

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