MMBTA06LT3G

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MMBTA06LT3G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA06LT3G  双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MMBTA06LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBTA06LT3G引脚图与封装图
MMBTA06LT3G引脚图
MMBTA06LT3G封装图
MMBTA06LT3G封装焊盘图
在线购买MMBTA06LT3G
型号: MMBTA06LT3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBTA06LT3G  双极性晶体管, NPN, 80V SOT-23
替代型号MMBTA06LT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA06LT3G

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

MMBTA06LT3G和MMBTA06LT1G的区别

MMBTA06LT1

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完全替代

MMBTA06LT3G和MMBTA06LT1的区别

SMMBTA06LT1G

安森美

类似代替

MMBTA06LT3G和SMMBTA06LT1G的区别

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