MMBT3906

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MMBT3906概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −40V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. 描述与应用| PNP外延平面 PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用在集电极电流为10μA至100 mA的。

MMBT3906中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8541210075

香港进出口证 NLR

数据手册

MMBT3906引脚图与封装图
MMBT3906引脚图
在线购买MMBT3906
型号: MMBT3906
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE
替代型号MMBT3906
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT3906

Fairchild 飞兆/仙童

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