MMBT2369LT1G

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MMBT2369LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MMBT2369LT1G , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=15 V, HFE:20, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3


立创商城:
NPN 15V 200mA


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 15V Switching NPN


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBT2369LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE


Win Source:
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23


MMBT2369LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 15.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 20

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MMBT2369LT1G引脚图与封装图
MMBT2369LT1G引脚图
MMBT2369LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2369LT1G
型号: MMBT2369LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFE
替代型号MMBT2369LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor 安森美

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