MKI50-12E7参数规格_中文资料_数据手册PDF

MKI50-12E7概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2

IGBT 模块 NPT 全桥反相器 1200 V 90 A 350 W 底座安装 E2

得捷:
IGBT MODULE 1200V 90A 350W E2

艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 90A 18-Pin E2

MKI50-12E7中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.8nF @25V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 18

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MKI50-12E7

型号： MKI50-12E7

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 18Pin E2