MKI75-12E8

MKI75-12E8图片1
MKI75-12E8图片2
MKI75-12E8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3

IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 130A 500W Chassis Mount E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 130A 33-Pin Case E-3


MKI75-12E8中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.7nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 33

封装 E-3

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MKI75-12E8
型号: MKI75-12E8
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台