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MUBW35-12E7概述

MODULE IGBT CBI E2

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2

MUBW35-12E7中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 2nF @25V

额定功率Max 225 W

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 24

封装 E2

外形尺寸

封装 E2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW35-12E7

型号： MUBW35-12E7

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MODULE IGBT CBI E2

替代型号MUBW35-12E7

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

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