MMBT5087LT3G

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MMBT5087LT3G概述

低噪声晶体管 Low Noise Transistor

Low Noise Transistor PNP Silicon

Features

•These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


得捷:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3


立创商城:
MMBT5087LT3G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP


艾睿:
This specially engineered PNP MMBT5087LT3G GP BJT from ON Semiconductor comes with a variety of characteristics including absolute maximum ratings, thermal characteristics, and DC and AC electrical characteristics. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 3 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 3 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PNP 50V 0.05A SOT-23


MMBT5087LT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

增益频宽积 40 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT5087LT3G
型号: MMBT5087LT3G
描述:低噪声晶体管 Low Noise Transistor
替代型号MMBT5087LT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT5087LT3G

ON Semiconductor 安森美

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