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MWI100-12E8图片1

MWI100-12E8概述

MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3

MWI100-12E8中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.4nF @25V

额定功率Max 640 W

封装参数

安装方式 Chassis

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI100-12E8

型号： MWI100-12E8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3

替代型号MWI100-12E8

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MWI100-12E8

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

MIEB101W1200EH

IXYS Semiconductor

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