MUBW50-12E8参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUBW50-12E8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 24Pin

IGBT 模块

得捷:
IGBT MODULE 1200V 90A 350W E3

贸泽:
Discrete Semiconductor Modules IGBT NPT3 1200V 50A

MUBW50-12E8中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.8nF @25V

额定功率Max 350 W

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 35

封装 E3

外形尺寸

封装 E3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MUBW50-12E8

型号： MUBW50-12E8

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Module N-CH 1200V 90A 350000mW 24Pin

替代型号MUBW50-12E8