MWI75-12E8

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MWI75-12E8概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3

IGBT 模块 NPT 三相反相器 底座安装 E3


得捷:
IGBT MODULE 1200V 130A 500W E3


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 130A 33-Pin Case E-3


MWI75-12E8中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 5.7nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 33

封装 E-3

外形尺寸

高度 17 mm

封装 E-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI75-12E8
型号: MWI75-12E8
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 500000mW 33Pin Case E-3
替代型号MWI75-12E8
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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