NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
小信号 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MMBT5551LT3G , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:30, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
立创商城:
MMBT5551LT3G
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi MMBT5551LT3G NPN Bipolar Transistor, 0.6 A, 160 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
The High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
额定功率 225 mW
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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