MWI300-12E9参数规格_中文资料_数据手册PDF

MWI300-12E9概述

Discrete Semiconductor Modules 300A 1200V

IGBT Module NPT Three Phase 1200V 530A 2100W Chassis Mount E+

得捷:
IGBT MODULE 1200V 530A 2100W E+

贸泽:
Discrete Semiconductor Modules 300 Amps 1200V

MWI300-12E9中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 22nF @25V

额定功率Max 2100 W

封装参数

安装方式 Screw

封装 E+

外形尺寸

封装 E+

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MWI300-12E9

型号： MWI300-12E9

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Discrete Semiconductor Modules 300A 1200V