Discrete Semiconductor Modules 450A 1200V
IGBT Module NPT Three Phase 1200V 640A 2200W Chassis Mount E+
得捷: IGBT MODULE 1200V 640A 2200W E+
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 33nF @25V
额定功率Max 2200 W
安装方式 Screw
封装 E+
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册