FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108. 射频 JFET
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -25v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 80ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -3~-10v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| N-Channel Switch • This device is designed for digital switching applications where very low on resistance is mandatory. 描述与应用| N沟道开关 •本设备是专为数字开关 非常低导通电阻的应用 强制性的。
艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SuperSOT T/R
富昌:
MMBFJ108 Series 25 V 80 mA Surface Mount N-Channel Switch - SuperSot-3
Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3-Pin SuperSOT T/R
Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SuperSOT T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108 JFET Transistor, Junction Field Effect, -25 V, 80 mA, 80 mA, -10 V, SOT-23, JFET
Win Source:
JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
额定电压DC 25.0 V
额定电流 80 mA
击穿电压 -25.0 V
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 mA
击穿电压 25 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBFJ108 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BFR31 恩智浦 | 类似代替 | MMBFJ108和BFR31的区别 |
MMBFJ310LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBFJ108和MMBFJ310LT1G的区别 |