MMUN2211LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMUN2211LT1概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 246 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

得捷:
TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMUN2211LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

耗散功率 246 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 35

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MMUN2211LT1

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

替代型号MMUN2211LT1