ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
双电阻器双数字,
得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
立创商城:
双 NPN 双极数字晶体管 BRT
欧时:
### 双电阻器双数字晶体管,ON Semiconductor![http://china.rs-online.com/largeimages/L518112-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L518112-01.gif ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Allied Electronics:
MUN5213DW1T1G NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 47 kOhm, Ratio Of 1, 6-Pin SC-88
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN5213DW1T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Ratio, SOT-363
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.385 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MUN5213DW1T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
UMH2NTN 罗姆半导体 | 功能相似 | MUN5213DW1T1G和UMH2NTN的区别 |
PUMH2,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5213DW1T1G和PUMH2,115的区别 |
PUMH14,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5213DW1T1G和PUMH14,115的区别 |