FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5401. 单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −150V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier • This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltage. 描述与应用| PNP通用放大器 这个装置是专为需要高电压的应用作为一种通用放大器和开关而设计。
频率 300 MHz
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 150 V
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 240
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 240
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.96 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBT5401 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT5401_D87Z 飞兆/仙童 | 类似代替 | MMBT5401和MMBT5401_D87Z的区别 |
MMBT5401LT1G 安森美 | 功能相似 | MMBT5401和MMBT5401LT1G的区别 |