MBT3904DW1T3G

MBT3904DW1T3G图片1
MBT3904DW1T3G图片2
MBT3904DW1T3G图片3
MBT3904DW1T3G图片4
MBT3904DW1T3G图片5
MBT3904DW1T3G图片6
MBT3904DW1T3G图片7
MBT3904DW1T3G图片8
MBT3904DW1T3G图片9
MBT3904DW1T3G图片10
MBT3904DW1T3G图片11
MBT3904DW1T3G图片12
MBT3904DW1T3G图片13
MBT3904DW1T3G图片14
MBT3904DW1T3G图片15
MBT3904DW1T3G概述

NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


得捷:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363


立创商城:
MBT3904DW1T3G


艾睿:
Compared to other transistors, the NPN MBT3904DW1T3G general purpose bipolar junction transistor, developed by ON Semiconductor, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MBT3904DW1T3G  Bipolar Transistor Array, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 100 hFE, SC-70


Win Source:
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363


MBT3904DW1T3G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MBT3904DW1T3G引脚图与封装图
MBT3904DW1T3G引脚图
在线购买MBT3904DW1T3G
型号: MBT3904DW1T3G
描述:NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号MBT3904DW1T3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MBT3904DW1T3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MBT3904DW1T1

安森美

完全替代

MBT3904DW1T3G和MBT3904DW1T1的区别

MBT3904DW1T1G

安森美

类似代替

MBT3904DW1T3G和MBT3904DW1T1G的区别

SMBT3904S

英飞凌

类似代替

MBT3904DW1T3G和SMBT3904S的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台