MMBFJ271中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -50.0 mA
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
栅源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 8.50 mA
击穿电压 30 V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.04 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买MMBFJ271
型号： MMBFJ271
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：P 通道 JFET，Fairchild Semiconductor ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。