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MMBFJ111概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ111 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET

The is a N-channel JFET Switch designed for low level analogue switching, sample and holds circuits, chopper stabilized amplifiers.

.: Interchangeable source and drain

.: 35V Drain-gate voltage

.: -35V Gate-source voltage

.: 50mA Forward gate current

MMBFJ111中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 20.0 mA

击穿电压 -35.0 V

漏源极电阻 30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 35.0 V

栅源击穿电压 35 V

连续漏极电流Ids 20.0 mA

击穿电压 35 V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.04 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBFJ111

型号： MMBFJ111

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ111 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, SOT-23, JFET

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替代型号MMBFJ111

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBFJ111 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
SST111 Vishay Siliconix	类似代替	MMBFJ111和SST111的区别
PMBFJ111,215 恩智浦	功能相似	MMBFJ111和PMBFJ111,215的区别
SST111-E3 Vishay Siliconix	功能相似	MMBFJ111和SST111-E3的区别