MBT3906DW1T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBT3906DW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR MBT3906DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363

小信号 PNP ，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MBT3906DW1T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

额定功率 150 mW

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MBT3906DW1T1G引脚图与封装图

在线购买MBT3906DW1T1G

型号： MBT3906DW1T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MBT3906DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363

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替代型号MBT3906DW1T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBT3906DW1T1 安森美	类似代替	MBT3906DW1T1G和MBT3906DW1T1的区别
FFB3906 安森美	类似代替	MBT3906DW1T1G和FFB3906的区别
MMDT3906-7-F 美台	功能相似	MBT3906DW1T1G和MMDT3906-7-F的区别