MMBF5460LT1G

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MMBF5460LT1G概述

JFET - 通用晶体管P通道 JFET - General Purpose Transistor P-Channel

JFET P 通道 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23


贸泽:
JFET 25V 10mA


艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R


MMBF5460LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -10.0 mA

极性 P-Channel

耗散功率 200 mW

输入电容 7.00 pF

漏源极电压Vds 40.0 V

栅源击穿电压 40 V

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 7pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBF5460LT1G
型号: MMBF5460LT1G
描述:JFET - 通用晶体管P通道 JFET - General Purpose Transistor P-Channel
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