







MMBFJ175LT1 P沟道结型场效应管 25 V -7.0~-60.0mA SOT-23 marking/标记 6W
This P-channel JFET device is designed for analog switching and chopper applications.
Features
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得捷:
MOSFET SS P-CHAN 25V SOT23
艾睿:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -60.0 mA
漏源极电阻 125 Ω
极性 P-Channel
漏源极电压Vds 25.0 V
栅源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 mA
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 11pF @10VVgs
额定功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBFJ175LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBFJ175 安森美 | 完全替代 | MMBFJ175LT1和MMBFJ175的区别 |
MMBFJ175LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBFJ175LT1和MMBFJ175LT1G的区别 |